マイクロン、東広島拠点1.5兆円投資　次世代DRAM・HBM量産に向け政府支援で早ければ2027年に量産開始

マイクロンメモリジャパンは、2025年9月、広島県東広島市の製造拠点における次世代半導体投資計画について、経済産業省から最大5,360億円の支援を受けることが決定したと発表しています。

同計画では、東広島工場において次世代DRAMおよび高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力強化を進めます。総投資額は約1.5兆円に達する見通しで、研究開発、新規製造設備、先端プロセス導入を含む大規模投資となります。

AI向けメモリ需要に対応

投資対象にはEUV（極端紫外線）露光技術を活用した先端DRAM製造が含まれます。マイクロンは東広島拠点で1γ（ワンガンマ）世代DRAMの量産技術を確立し、生成AIやデータセンター向けに需要が拡大するHBM市場への供給能力強化を進める計画です。

HBMはAI向けGPUに搭載される重要部品であり、AI学習や推論処理に不可欠な半導体として需要が急増しています。量産開始は2027年から2028年頃が想定されています。

日本の半導体政策を支える大型案件

日本政府は半導体を経済安全保障上の戦略分野と位置付け、TSMC熊本工場やRapidus北海道工場への支援を進めています。今回のマイクロン案件も国内最大級の半導体投資案件の一つとなり、AI向け先端メモリの国内生産基盤強化やサプライチェーン安定化への貢献が期待されます。

東広島拠点は今後、日本における先端メモリ開発・生産の中核拠点としての役割を担う見通しです。

出典：Micron to Bring EUV Technology to Japan, Advancing Next-Generation Memory Manufacturing

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