キオクシアとサンディスクは2026年8月12日、AIやデータ集約型用途向けに、QLC方式の2テラビット第9世代3次元フラッシュメモリー技術を発表しました。独自のCBA技術で最新のCMOS回路と既存のメモリーセルアレイを組み合わせ、高性能化と設備投資効率の両立を狙います。
速度は前世代比33％向上
6プレーン構造などにより読み書き帯域と電力効率を改善し、NANDインターフェース速度は第8世代比33％高い4.8ギガビット毎秒を実現しました。QLCは1セル当たり4ビットを記録でき、大容量化に向く一方、性能や耐久性が課題になりやすく、今回の設計改善はAIストレージへの適用範囲を広げます。
既存設備活用が資本効率の鍵
メモリーセルとCMOSを別々に最適化するCBAは、既存世代のセル技術を生かしながら回路を更新できます。需要が急増する局面で、全面的な世代更新より速く市場投入できれば投資回収を高められます。量産時期、歩留まり、顧客採用、TLC製品との価格差が収益寄与を左右します。